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2亿像素CIS(CMOS图像传感器)、基于EUV技术的14纳米DDR5内存……进博会三星展台入口处的3D裸眼大屏上，代表晶圆代工、存储芯片等全球前沿科技水平的产品影像轮流播放，吸引了大量科技爱好者的目光。在展区现场，三星展出的晶圆吸引众多参观者打卡留影，5nm SoC(系统级芯片)、128层NAND(计算机闪存设备)、第六代显存、车用CIS等高端产品也成为人气展品，彰显出三星在高端装备制造领域的强大技术实力。第四届进博会三星展台今年是三星第四次参加进博会，也是三星首次从消费品馆转移到技术装备馆参展。在本届进博会首次设立的集成电路专区，三星作为全球领先的半导体企业，是该专区最大的核心参展商之一，通过对技术创新实力的全面展示，透射出对信息产业发展的重要支撑。领先技术支撑前沿创新第四次参展进博会，三星向产业链上游溯源，展示了面向消费电子、大数据、移动通信、人工智能、车载等热点应用和新兴产业的半导体技术。在推出两款5nm EUV手机SoC之后，三星将最先进制程拓展到可穿戴应用领域，扩展了智能终端的应用范围。本届进博会，三星展出的Exynos W920是全球首款基于5nm EUV工艺的可穿戴芯片组，搭载了两个ARM Cortex-A55内核和ARM Mali-G68 GPU，兼顾了能效与任务处理需求。与上一代产品相比，其CPU性能提升20%，GPU图形性能提升近10倍。此外，Exynos W920还采用了FO-PLP(扇出型面板级封装)技术，是目前可穿戴设备领域中最小的封装。三星首款2亿像素分辨率图像传感器影像能力已成为旗舰手机进行差异化竞争的主要路径。在推出业界首款超1亿像素CIS之后，三星又率先踏入2亿像素时代。本次展出的移动图像传感器ISOCELL HP1拥有2亿像素，单位像素0.64微米。面向暗光等重要使用场景，ISOCELL HP1可将16个相邻的像素合并成大像素吸收更多光线，拍出明亮清晰的照片。针对消费者对手机超高清影像创作的需求，ISOCELL HP1支持30fps 8K视频拍摄，通过合并4个相邻像素，将分辨率降低至50Mp或8192×6144，无需裁切或缩小全图像分辨率。随着全球数据量以指数级增长、数据类型逐渐多元，数据处理需要更加安全、高效的存储和读取技术。本届进博会上，三星展示了多款面向大数据业务的存储产品。三星首款基于14纳米技术的DDR5内存DRAM是最为常见的系统内存，存储速度快、存储容量大，在计算机中常作为主存储器。三星展出的14纳米DDR5内存，是业内首款基于14纳米EUV技术的DRAM产品，容量可达512GB。与普通DDR4相比，功耗降低20%，频率可达7200MHz，能满足超级计算机、机器学习、人工智能等方面的需求，并通过提高性能和降低功耗，满足IT行业对绿色发展的要求。三星新一代企业级SSD硬盘PM9A3系列NAND闪存方面，三星展出了新一代企业级SSD硬盘PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND闪存技术，容量最高达7.68TB，速度可达6500MB/s，存储一部5GB的高清电影仅需约0.7秒，对需要高速处理大容量数据存储的用户及企业来说，可大幅提升工作效率。面向AI时代对超高速处理速度的需求，三星展示了针对AI效率提升的存储产品。代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的两倍，速度提高1.5倍，AI训练效率提高6倍，同时可显著提高带宽及电源效率，这将极大提升下一代计算机系统的性能。在汽车电子方面，ISOCELL Auto 4AC是三星专为汽车客户提供的首个集成式成像解决方案，可提供120分贝高动态范围图像并同时支持发光二极管闪烁抑制功能，适用于高清分辨率的车载环视影像系统或后视摄像头，目前已大规模量产。为信息技术产业提质增效半导体技术迭代带来的更高性能、更低功耗，是信息技术产业向前发展的动力源泉。三星电子的触角能伸向消费电子、智慧家居、新型显示、数据中心、移动通信、机器人等信息技术产业的方方面面，起到筑基作用的正是三星半导体。面向5G、AI等密集型任务带来的性能挑战，三星半导体通过逻辑代工、存储、手机AP等多方面业务，持续赋能产业的创新发展。半个世纪以来，摩尔定律始终是半导体技术进步的节拍器，其最直观的表现就是制程节点的跃迁。三星的代工业务起步于2005年左右，基于高端定位、技术投资以及与客户企业的合作开发，三星抓住了通信产品迅速发展的东风，实现了技术赶超。2017年，三星成立了独立的代工部门。2018年，三星晶圆代工业务已稳居全球前列。从HKMG到FinFet(鳍式场效应晶体管)再到3nm节点的全新架构GAA，三星一方面率先导入新架构，另一方面持续对原有架构进行优化，满足低、中、高端市场各类应用的能耗改善需求。三星在2021晶圆代工论坛宣布，计划2022年上半年量产首批3纳米芯片，2纳米芯片预计2025年批量生产。三星3nm GAA工艺与5nm工艺相比，芯片面积减少35%、性能提高30%、功耗降低50%。同时，三星发布了新的17nm工艺，是对主流FinFet架构的工艺强化。相比28nm工艺，17nm工艺实现了39%的性能提升和49%的功率效率提升。计算与存储密不可分，AI、车联网等强实时性技术，尤其对存储器的连接和处理速度提出了更高要求。三星的存储器布局始于20世纪80年代，通过技术吸收创新、逆周期投资，以及研发与生产紧密结合的“并行开发体系”，在十年间实现了技术反超，并至今保持在存储领域的绝对优势。如今，在DRAM、NAND、Nor Flash三大主流存储器产品中，三星在前两者的市占率均为全球第一，成为存储器技术升级与产品迭代的风向标。在DRAM领域，三星率先量产第二代、第三代10nm级产品，并率先将TSV、EUV技术用于DRAM生产，为业界提供超高速、超省电的存储器产品，满足5G、AI等高吞吐率技术的发展需求及数据中心等IT设施对能源效率的需求。NAND方面，三星首创的V-NAND技术，不再缩小cell单元来实现容量提升，通过堆叠更多层数的垂直存储，使SSD实现更高的存储密度、写入速度以及更低的功耗。三星计划于今年下半年推出基于双堆栈的176层第7代 V-NAND，满足5G智能手机、5G PC、IDC的存储需求。三星新款 5nm 移动处理器 Exynos 1080面向5G等下一代新兴技术，三星推出了5G调制解调器、NPU、创新的LPDDR5等多种半导体技术。三星新款5G处理器Exynos1080、Exynos2100采用当前最先进的5nm EUV制程，并集成了NPU内核，以支持智能语音助理识别、智能摄影等AI增强功能。三星的LPDDR5作为 12 Gb移动 DRAM，将51.2 Gbps高传输速度与节能设计相结合，以低功耗、高速互联满足下一代通信产品需求。为强化在中国产业链、创新链的参与深度，三星近年来还深化了与中国本土企业的合作。三星的1.08亿像素CIS与小米联合研发，Exynos980和Exynos1080与vivo联合研发，最终使智能终端产品更加贴近国内客户企业和用户群体需求。龙头效应牵引本地产业集群半导体是设计和制造过程都非常复杂的产品，对技术的超高要求及不断扩大的应用需求，导致了该行业高度专业化的全球供应链结构。各国根据相对优势，在整个链条中发挥出不同作用。在半导体产业领域，中国虽然拥有庞大的客户市场和丰富的人力资源，但中国市场更需要龙头半导体企业发挥出带动作用和资源整合能力，从而打造独特的发展引擎。三星西安半导体工厂车间2012年，三星在西安投建了全球最先进的存储芯片项目，至今已累计投资近260亿美元，成为了改革开放以来中国电子信息行业最大的外商投资项目。而伴随着三星半导体工厂的落户，几百家相关配套企业进驻西安，对当地的半导体产业链建设产生了强力的带动作用，也让西安逐步形成了过千亿元的半导体产业集群。外资企业本土化与本土企业国际化同为全球化的两个重要趋向。在中国努力构建“双循环”新发展格局的大背景下，三星紧抓机遇，成为推动中国电子信息产业发展的重要力量，一方面持续加大在华半导体等尖端元器件领域的产业投资，另一方面，深度融入、参与中国产业链的建设和发展。进博会上，三星展现的半导体产业链及代表性产品只是冰山一角，凭借持续不断的迭代式创新，三星正开启未来发展的新格局，中国无疑是重要市场。 |
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